Estudio de las propiedades electrónicas y plasmónicas de nanocintas de grafeno mediante un modelo semi-analítico
Presentamos un análisis en el comportamiento electrónico y plasmónico de nanocintas de grafeno de diferentes anchos de banda como los siguientes 2,7 nm; 10 nm; 100 nm; 200 nm, para los que una investigación exhaustiva ab initio es prácticamente inviable. El enfoque se basa en un modelo semianalítico...
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| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| פורמט: | bachelorThesis |
| שפה: | spa |
| יצא לאור: |
2023
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| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/21734 |
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הוספת תג | סיכום: | Presentamos un análisis en el comportamiento electrónico y plasmónico de nanocintas de grafeno de diferentes anchos de banda como los siguientes 2,7 nm; 10 nm; 100 nm; 200 nm, para los que una investigación exhaustiva ab initio es prácticamente inviable. El enfoque se basa en un modelo semianalítico, método computacional físico cuyo parámetro libre y único es la velocidad del portador de carga que se estima mediante cálculos de la Teoría del Funcional de la Densidad en grafeno desarrollado en los laboratorios de Física Computacional de la ESPOCH. La metodología implementada demuestra de manera cuantitativa que las energías de campo dependen de la concentración de portadores de carga, la anchura de la cinta, la velocidad de relajación de los electrones y el ángulo de momento transferido en el plano. Con la metodología se logró determinar las propiedades electrónicas se establecen a partir del cálculo de energías de banda, la banda prohibida o bandgap la masa efectiva y la dispersión de la banda desocupada. Cuyas conclusiones fueron que las propiedades plasmónicas son consecuentes de los cálculos del DFT en plasmones, en concreto se demostró que independientemente del ancho de la nanobanda, la energía plasmónica depende del portador de carga de las nanobandas de grafeno. |
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