Implementación de un prototipo de fuente de alimentación de 1200v de baja corriente para pruebas de estrés eléctrico en transistores de potencia.
Se implementó un prototipo de fuente de alimentación de 1200v de baja corriente para pruebas de estrés eléctrico en transistores de potencia. Con la creación de este proyecto de titulación se pretendió resolver el problema de falta de instrumentación dedicada a pruebas de fiabilidad más comunes. Ent...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | bachelorThesis |
| Idioma: | spa |
| Publicat: |
2020
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| Matèries: | |
| Accés en línia: | https://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/16376 |
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Afegir etiqueta | Sumari: | Se implementó un prototipo de fuente de alimentación de 1200v de baja corriente para pruebas de estrés eléctrico en transistores de potencia. Con la creación de este proyecto de titulación se pretendió resolver el problema de falta de instrumentación dedicada a pruebas de fiabilidad más comunes. Entre ellas: High Temperature Reverse Bias (HTRB), caracterización de corriente-tensión entre drenaje y fuente. Siendo este dispositivo de bajo consto, amigable con el usuario. El diseño del prototipo empezó por el establecimiento de requerimientos técnicos y funcionales orientados a las pruebas de estrés eléctrico, entre ellos: voltaje variable hasta 1200V, medición de corriente y tensión en la salida durante toda la prueba, límite de corriente ajustable por el usuario, protección contra sobre corriente y sobre tensión, etc. El prototipo se basa en el convertidor del tipo Flyback, conmutado por una señal PWM proveniente de un microcontrolador que se encarga de mantener estable la tensión de salida a través de un algoritmo de control en lazo cerrado. Para la interacción con el usuario se creó una interfaz HMI en el software QT-Creator de código abierto. Además, brinda la capacidad de ser utilizado en otras aplicaciones como caracterización de I-V. Una vez terminado el proceso de diseño e implementación de prototipo se procedió a la etapa de calibración y pruebas, donde se logró efectuar con éxito varios test de estrés eléctrico, con la ayuda de una estación de calor que mantiene el encapsulado del dispositivo a la temperatura máxima según el fabricante con el fin de lograr acelerar los mecanismos de falla de los MOSFET en cuestión. Se recomienda mejorar el prototipo con la dotación de una fuente ininterrumpida de alimentación (UPS), de manera que la prueba no se suspenda en ausencia del suministro eléctrico. |
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