Diseño nuevo de un sistema de puesta a tierra para mejorar las condiciones de operación de la subestación cartorama a 69KV
La evaluación y diseño mejorado de la malla de puesta a tierra de la subestación Cartorama C. A. con una tensión de 69 kV es esencial para garantizar la seguridad y el correcto funcionamiento de la infraestructura eléctrica. La malla de puesta a tierra consiste en un sistema de conexiones metálicas...
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| Формат: | bachelorThesis |
| Язык: | spa |
| Опубликовано: |
2023
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| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://dspace.ups.edu.ec/handle/123456789/25834 |
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| Итог: | La evaluación y diseño mejorado de la malla de puesta a tierra de la subestación Cartorama C. A. con una tensión de 69 kV es esencial para garantizar la seguridad y el correcto funcionamiento de la infraestructura eléctrica. La malla de puesta a tierra consiste en un sistema de conexiones metálicas que proporciona un camino seguro para la descarga de corrientes de falla y protege tanto a las personas como a los equipos de posibles descargas eléctricas. En el caso específico de la subestación Cartorama C. A., es necesario llevar a cabo una evaluación minuciosa y un diseño mejorado de la malla de puesta a tierra, teniendo en cuenta los requisitos de seguridad y las normativas vigentes. Esto implicó el haber realizado un análisis detallado de las características del terreno, las corrientes de falla esperadas y las condiciones de operación de la subestación. Para el proceso de evaluación de la malla de puesta a tierra se midió la resistividad del terreno y así determinamos su resistencia eléctrica. También se calculó la resistencia de puesta a tierra necesaria para disipar la corriente de falla de forma segura. Además, se consideraron factores como la dispersión de corriente, la distribución de potencia y la protección contra sobretensiones. Habiendo finalizado la evaluación, se realizó un nuevo diseño de la malla puesta a tierra. Para este proceso se tomó en cuenta las medidas del terreno que en este caso fueron de 81m^2 en este diseño planteado se lograron temperaturas ambientes de 35°C con una resistividad de 30Ω*m. |
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