Estudio de las propiedades electrónicas del óxido de zinc (ZNO)
El desarrollo de la electrónica está directamente ligado al desarrollo en materiales semiconductores ya que mediante los avances en estos materiales se ha podido crear una gran variedad de dispositivos. Así, la constante búsqueda de nuevas y mejores tecnologías llevan a los investigadores a la explo...
Gorde:
| Egile nagusia: | |
|---|---|
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| Argitaratua: |
2010
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| Gaiak: | |
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| Etiketak: |
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|---|---|
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| description | El desarrollo de la electrónica está directamente ligado al desarrollo en materiales semiconductores ya que mediante los avances en estos materiales se ha podido crear una gran variedad de dispositivos. Así, la constante búsqueda de nuevas y mejores tecnologías llevan a los investigadores a la exploración de mejores y/o nuevos materiales modificando las propiedades de estos; haciendo que las propiedades del material desarrollado sean lo más óptimas para la aplicación requerida. En la actualidad la investigación sobre nuevos materiales de manera general se lleva a cabo mediante el uso de métodos computacionales y/o experimentales. Los métodos computacionales permiten observar, analizar y estudiar fenómenos a nivel atómico, este hecho facilita la comprensión de fenómenos que ocurren a ese nivel. En el presente trabajo se utiliza el método computacional para la investigación del cristal de Óxido de Zinc, material que tiene gran importancia en un gran número de aplicaciones en dispositivos electrónicos en la actualidad y es prospecto de muchas otras en el futuro. Por ello este material fue seleccionado para su estudio bajo la presencia de defectos puntuales con un enfoque a la parte electrónica del mismo, aportando con nuevos conocimientos. |
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