Doping of SnO2 with H atoms: An alternative way to attain n-type conductivity
We propose an explanation for the origin of n-type electrical conductivity in SnO2 based on the results obtained from the DFT+U simulations. Two competitive intrinsic point defects, namely oxygen vacancy and hydrogen impurity, have been considered at different positions within the crystalline lattic...
Sparad:
| Huvudupphovsman: | |
|---|---|
| Övriga upphovsmän: | |
| Materialtyp: | article |
| Publicerad: |
2016
|
| Ämnen: | |
| Länkar: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/18727 |
| Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|
Lägg till en tagg Lägg till första kommentaren!