Doping of SnO2 with H atoms: An alternative way to attain n-type conductivity
We propose an explanation for the origin of n-type electrical conductivity in SnO2 based on the results obtained from the DFT+U simulations. Two competitive intrinsic point defects, namely oxygen vacancy and hydrogen impurity, have been considered at different positions within the crystalline lattic...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Médium: | article |
| Vydáno: |
2016
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/18727 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Přidat tag