Doping of SnO2 with H atoms: An alternative way to attain n-type conductivity
We propose an explanation for the origin of n-type electrical conductivity in SnO2 based on the results obtained from the DFT+U simulations. Two competitive intrinsic point defects, namely oxygen vacancy and hydrogen impurity, have been considered at different positions within the crystalline lattic...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | article |
| Được phát hành: |
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/18727 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thêm thẻ