Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta
El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niv...
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Формат: | bachelorThesis |
| Мова: | spa |
| Опубліковано: |
2017
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Додати тег | Резюме: | El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niveles de dopaje, niveles de difusión y métodos de oxidación (húmedo y seco). Exponemos nuestros resultados en términos de corrientes se saturación drenaje-fuente, tensión umbral, y movilidad efectiva. |
|---|