Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta
El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niv...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | bachelorThesis |
| اللغة: | spa |
| منشور في: |
2017
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| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956 |
| الوسوم: |
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