Estudio del efecto de estrés térmico y eléctrico en dispositivos electrónicos a través de mediciones de ruido de baja frecuencia.
En este trabajo de titulación se estudió el efecto del estrés térmico y eléctrico en dispositivos semiconductores de potencia a través de mediciones de ruido de baja frecuencia. Como parte de la metodología se describen los pasos del diseño experimental partiendo desde establecer los requerimientos...
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| Hovedforfatter: | |
|---|---|
| Format: | bachelorThesis |
| Sprog: | spa |
| Udgivet: |
2020
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| Fag: | |
| Online adgang: | https://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/18052 |
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Tilføj Tag | Summary: | En este trabajo de titulación se estudió el efecto del estrés térmico y eléctrico en dispositivos semiconductores de potencia a través de mediciones de ruido de baja frecuencia. Como parte de la metodología se describen los pasos del diseño experimental partiendo desde establecer los requerimientos de estrés que se debe aplicar sobre dispositivos para evidenciar la presencia de ruido de baja frecuencia. Para cumplir los requerimientos de estrés las herramientas de software y hardware seleccionadas fueron una fuente de tensión variable hasta 1200V diseñada para la aplicación de estrés eléctrico, un módulo de temperatura compuesto por un mini calentador y un módulo de control diseñado para la aplicación de estrés térmico junto con el analizador de parámetros Keithley 4200-SCSn para la caracterización corriente-voltaje y un sistema de medición de ruido de baja frecuencia para caracterización de canales conductivos en dispositivos electrónicos. El diseño experimental se compone de cinco etapas: Catalogación y selección de dispositivos, Caracterización Tensión–Corriente, Medición de ruido de baja frecuencia, Pruebas de estrés térmico y eléctrico y Estadística para la fiabilidad en los dispositivos. Los resultados indican un mayor nivel de ruido flicker después de la aplicación del estrés que se relacionan con cambios en el voltaje de umbral producto del estrés aplicado, correlacionando directamente dichos parámetros. Mediante estos resultados obtenidos, y la información consultada acerca del estado del arte relacionado a la fiabilidad en dispositivos semiconductores, se puede inferir que sobre los dispositivos bajo prueba se ha activado un mecanismo de degradación conocido como “contaminación iónica”. |
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