Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC n-MOSFETs.

Actualmente, los transistores de efecto de campo fabricados en carburo de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los grandes beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia brecha de...

詳細記述

保存先:
書誌詳細
第一著者: Guevara, Esteban (author)
その他の著者: Tinajero, José Luis (author), Guevara, Mauro (author), Cajas Buenaño, Mildred (author)
フォーマット: article
言語:spa
出版事項: 2019
主題:
オンライン・アクセス:https://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/15767
タグ: タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!