Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC n-MOSFETs.
Actualmente, los transistores de efecto de campo fabricados en carburo de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los grandes beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia brecha de...
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | , , |
| Format: | article |
| Sprache: | spa |
| Veröffentlicht: |
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/15767 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Tag hinzufügen | Zusammenfassung: | Actualmente, los transistores de efecto de campo fabricados en carburo de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los grandes beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia brecha de banda energética, presenta varias peculiaridades de defectuosidad dentro de su estructura que afectan directamente a las características eléctricas de los dispositivos. El objetivo de este artículo es determinar y comparar el grado de defectuosidad al interno de la estructura MOS de los diferentes dispositivos bajo prueba. La técnica utilizada fue la caracterización de histéresis en corriente continua que es una medida de la dinámica de conmutación de las trampas en la interfaz SiC/SiO 2. Para lograr este propósito, experimentalmente se evaluó dos familias de dispositivos SiC MOSFETs de características eléctricas diferentes. Los dispositivos evaluados pertenecen al mismo fabricante. El grado de defectuosidad o trampas estimadas mostrado por cada dispositivo marca una tendencia de acuerdo con sus características eléctricas y su respectiva familia. |
|---|