Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC n-MOSFETs.
Actualmente, los transistores de efecto de campo fabricados en carburo de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los grandes beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia brecha de...
Wedi'i Gadw mewn:
| Prif Awdur: | Guevara, Esteban (author) |
|---|---|
| Awduron Eraill: | Tinajero, José Luis (author), Guevara, Mauro (author), Cajas Buenaño, Mildred (author) |
| Fformat: | article |
| Iaith: | spa |
| Cyhoeddwyd: |
2019
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| Pynciau: | |
| Mynediad Ar-lein: | https://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/15767 |
| Tagiau: |
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Eitemau Tebyg
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Cyhoeddwyd: (2025) -
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