Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO.

Utilizando el método DFT+U, reproducimos tanto la conductividad eléctrica tipo–n, así como conductividad de tipo–p en el ZnO. Inicialmente, una vacancia de oxígeno (1.85% mol de concentración) se combina con un hidrógeno en lugar estratégico en la red cristalina para lograr la conductividad eléctric...

• Main Author: Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio (author)
• Format: bachelorThesis
• Language: spa
• Published: 2016
• Subjects: Óxido de zinc; Conductividad eléctrica tipo-n – Origen; Semiconductor tipo-n - Propiedades; Semiconductor tipo-p y – Propiedades; Ingeniero químico – Tesis y disertaciones académicas.
• Online Access: http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/15531