Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO.

Utilizando el método DFT+U, reproducimos tanto la conductividad eléctrica tipo–n, así como conductividad de tipo–p en el ZnO. Inicialmente, una vacancia de oxígeno (1.85% mol de concentración) se combina con un hidrógeno en lugar estratégico en la red cristalina para lograr la conductividad eléctrica de tipo-n. Más adelante, para alcanzar la conductividad tipo–p, el semiconductor que ya poseía conductividad de tipo–n, fue dopado con la impureza de nitrógeno (5.56–7.41% en moles de concentraciones). Después, fue codopado con las impurezas de aluminio (1.85% mol de concentración) y de nitrógeno (7.41 a 9.26% mol de concentración). Por último, fue tridopado con impurezas de aluminio (1.85% mol de concentración), arsénico (1.85% mol de concentración) y de nitrógeno (3.70% mol de concentración). Se ha obtenido una explicación detallada de los cambios estructurales sufridos por la geometría del material, así como los cambios en sus propiedades magnéticas y eléctricas. Nuestros resultados teóricos concuerdan con los resultados encontrados a nivel experimental.

• Autor principal: Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio (author)
• Formato: bachelorThesis
• Lenguaje: spa
• Publicado: 2016
• Materias: Óxido de zinc; Conductividad eléctrica tipo-n – Origen; Semiconductor tipo-n - Propiedades; Semiconductor tipo-p y – Propiedades; Ingeniero químico – Tesis y disertaciones académicas.
• Acceso en línea: http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/15531