Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO.

Utilizando el método DFT+U, reproducimos tanto la conductividad eléctrica tipo–n, así como conductividad de tipo–p en el ZnO. Inicialmente, una vacancia de oxígeno (1.85% mol de concentración) se combina con un hidrógeno en lugar estratégico en la red cristalina para lograr la conductividad eléctric...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ:	Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio (author)
Ձևաչափ:	bachelorThesis
Լեզու:	spa
Հրապարակվել է:	2016
Խորագրեր:	Óxido de zinc Conductividad eléctrica tipo-n – Origen Semiconductor tipo-n - Propiedades Semiconductor tipo-p y – Propiedades Ingeniero químico – Tesis y disertaciones académicas.
Առցանց հասանելիություն:	http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/15531
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Եղիր առաջինը, ով թողնում է մեկնաբանություն!

Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO.

Նմանատիպ նյութեր