Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.

El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el...

• Үндсэн зохиолч: Flores Carpio, Jackson Francisco (author)
• Бусад зохиолчид: Ojeda Ortega, José Vinicio (author)
• Формат: bachelorThesis
• Хэл сонгох: spa
• Хэвлэсэн: 2017
• Нөхцлүүд: Diseño acústico; Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones -Tesis y disertaciones académicas
• Онлайн хандалт: http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828