Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.
El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el...
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| Κύριος συγγραφέας: | |
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| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | bachelorThesis |
| Γλώσσα: | spa |
| Έκδοση: |
2017
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| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
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Προσθήκη ετικέτας | Περίληψη: | El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el ”International Technology Roadmap for Semiconductors”. Los cambios en las características eléctricas para las diferentes configuraciones se atribuyeron a los niveles de dopaje y difusión. Explicamos nuestros resultados en términos de corrientes de saturación, tensión umbral, movilidad efectiva y disminución de barrera inducida por drenaje. |
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