Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.

El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Flores Carpio, Jackson Francisco (author)
অন্যান্য লেখক: Ojeda Ortega, José Vinicio (author)
বিন্যাস: bachelorThesis
ভাষা:spa
প্রকাশিত: 2017
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!