Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.
El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолч: | Flores Carpio, Jackson Francisco (author) |
|---|---|
| Бусад зохиолчид: | Ojeda Ortega, José Vinicio (author) |
| Формат: | bachelorThesis |
| Хэл сонгох: | spa |
| Хэвлэсэн: |
2017
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| Нөхцлүүд: | |
| Онлайн хандалт: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828 |
| Шошгууд: |
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
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Ижил төстэй зүйлс
Ижил төстэй зүйлс
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Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta
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