Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.
El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el...
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| Autore principale: | |
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| Altri autori: | |
| Natura: | bachelorThesis |
| Lingua: | spa |
| Pubblicazione: |
2017
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| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828 |
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