Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.
El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | bachelorThesis |
| Ngôn ngữ: | spa |
| Được phát hành: |
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thêm thẻ