Desarrollo de medición RFCV para transistor ultra scaled

 

Authors
Garzón Córdova, Esteban José
Format
BachelorThesis
Status
publishedVersion
Description

This project presents the development of the RFCV measurements through the control and synchronization of equipment in the nanoelectronics laboratory of IMNE (Micro and Nanoelectronic Institute). The equipment Semiconductor Characterization System (K4200 - SCS) and Network Analyzer (EC5071c) work simultaneously while being controlled by an application developed in Python. The control is based on the IEEE – 488.2 standard communications and Ethernet. For RFCV measurements, the EC5071c is used in high frequencies while the K4200 is used like voltage source in order to activate the MOSFET capacitor. The EC5071c is responsible for calculating the S matrix (Scattering Matrix) to perform numeric operations and to calculate the transistor’s capacitances through the application. The synchronization of the equipment was successfully completed by using programming execution threads, it can be seen there is no intervention of the data acquisition, S matrix calculation or previous preparation of the equipment before taking any measurement. For the measurements, it is necessary to perform a previous calibration; however, there could be complications that depends on the device behavior, inadequate handling of the measurement probes or the limitations of the SMA cables.
En este proyecto se presenta el desarrollo de mediciones RFCV mediante el control y sincronización de equipos dentro del laboratorio de nanoelectrónica del IMNE (Instituto de Micro y Nanoelectrónica). Los equipos Sistema Caracterizador de Semiconductores (K4200 - SCS) y Analizar de Redes (EC5071c) trabajan simultáneamente controlados por una aplicación desarrollada en Python. El control se basa en estándares de comunicación IEEE – 488.2 y Ethernet. Para mediciones RFCV se usa el EC5071c a altas frecuencias mientras que el K4200 se utiliza como fuente de tensión para activar el capacitor del MOSFET. El EC5071c se encarga de calcular la matriz S (Matriz de dispersión) para finalmente mediante la aplicación realizar operaciones numéricas y calcular las capacitancias del transistor. La sincronización de los equipos es satisfactoria gracias a la programación utilizando hilos de ejecución, por lo que se puede observar ante una medición que no existe ninguna intervención entre adquisición de datos, cálculo de matriz S o preparación previa de equipos antes de hacer una medición. Para las mediciones, se debe realizar una calibración previa; sin embargo, pueden presentarse complicaciones que dependen del comportamiento del dispositivo, mala manipulación de puntas de medición o limitaciones de frecuencia con cables SMA.

Publication Year
2016
Language
spa
Topic
Instrumentos de Medición
Transistores
Semiconductores
CIENCIAS
FÍSICA
Repository
Repositorio Universidad San Francisco de Quito
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http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/5205
Rights
openAccess
License
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/