Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.

El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el ”International Technology Roadmap for Semiconductors”. Los cambios en las características eléctricas para las diferentes configuraciones se atribuyeron a los niveles de dopaje y difusión. Explicamos nuestros resultados en términos de corrientes de saturación, tensión umbral, movilidad efectiva y disminución de barrera inducida por drenaje.

• Главный автор: Flores Carpio, Jackson Francisco (author)
• Другие авторы: Ojeda Ortega, José Vinicio (author)
• Формат: bachelorThesis
• Язык: spa
• Опубликовано: 2017
• Предметы: Diseño acústico; Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones -Tesis y disertaciones académicas
• Online-ссылка: http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828