Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC n-MOSFETs.

Authors: Guevara, Esteban; Tinajero, José Luis; Guevara, Mauro; Cajas Buenaño, Mildred

Format: Article

Status: publishedVersion

Description

Publication Year: 2019

Language: spa

Topic: SILICIO DE CARBURO
MOSFETs
HISTÉRESIS
SILICON CARBIDE
HYSTERESIS

Repository: Repositorio Escuela Superior Politécnica de Chimborazo

Get full text: http://dspace.espoch.edu.ec/handle/123456789/15767

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